半導体デバイス材料グループ

次世代集積回路は微細化にともない、新しい高誘電体ゲート絶縁膜 (Higher-K) 材料、仕事関数制御可能な非晶質新メタルゲート材料などのゲートスタック材料が求められています。当グループでは、これらの材料合成に、これまでグループで開発してきたコンビナトリアル材料合成を用います。また、当グループでは、これまで基板にバイアスを印加した状態で光電子分光を計測する技術を開発、多様な界面の電子構造を解明してきました。この手法を用いて、これらのナノスケールの界面を評価します。

一方、新材料の応用としてメモリーがありますが、ここでは、材料開発と界面評価技術を用いて、電荷蓄積から転換し、ナノ空間に電荷を蓄積し高密度化することを目指します。そのために、電荷蓄積可能な有機分子や欠陥を含む酸化物ナノ粒子などに電荷を蓄積する研究をすすめます。

専門分野・研究対象

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コンビナトリアル材料合成の事例 : 三元コンビナトリアル材料合成




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