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第13回ナノテクノロジー基盤領域研究交流会

開催日 2009/12/16 (水)

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概要

名称: 第13回ナノテクノロジー基盤領域研究交流会
開催日: 2009/12/16 (水)15：00～17：00
会場: 独立行政法人物質・材料研究機構　並木地区　共同研究棟4F大ゼミナール室
〒305-0047　茨城県つくば市並木1-1

会場地図

講演内容
講演1	「ナノ材料の社会受容研究における物材機構の取組み」宮澤　薫一ナノテクノロジー基盤萌芽ラボフラーレン工学グループ先端技術を牽引するナノテクの利便性に、大きな社会的関心が寄せられている。一方、ナノテクを支えるナノ材料は、従来になく小さいことから、健康や環境への影響を十分に評価して有用なものとすることが必要である。このためには、性質が十分に明らかにされた標準物質の開発とそれらを用いた健康・環境影響評価研究が不可欠であり、ナノテクの発展と標準化は強い関係で結ばれている。物材機構では、ものづくりに重点をおいたナノ社会受容研究を進めており、ナノ物質の生体影響評価研究において必要な標準物質の創製、標準物質を合成するためのナノ計測技術の標準化、そして、ナノ材料の細胞レベルでの生体影響評価研究を進めている。広い分野のテーマを扱うので、異なった専門分野の研究者が参画することができるようにクラスターを作ってナノ社会受容研究を進めており、さらに、国内のみならず、国際連携研究も進めている。本セミナーでは、以上につき物材機構におけるナノ社会受容研究の取組みにおける事例を紹介する。
講演2	「液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製」川津　琢也量子ドットセンターデバイス応用グループ 10nm級自己形成量子ドットは物性研究やデバイス応用の観点から大きな注目を集めている。その研究の多くは、In(Ga)As/GaAsドットをはじめとするタイプⅠ量子ドットを対象としている。しかし、近年、新機能デバイスへの応用の観点から、バンド構造がタイプⅡを示す量子ドットの関心が高まりつつある。タイプⅡ量子ドットの一つとしてGaSb/GaAs 量子ドットがあげられる。この量子ドットの作製には、ほとんどの場合、Stranski‐Krastanow（SK）モードによる自己形成法が用いられており、他の手法による作製例は少ない。本公演では、液滴エピタキシー法を用いて、GaAs(100)基板上にGaSbタイプⅡ量子ドットの作製を試み、その光学特性を調べたので報告する。
講演3	「中性子と放射光を利用した新奇マルチフェロイクスの研究」寺田　典樹量子ビームセンター中性子散乱グループ 2003年のTbMnO3における磁場誘起誘電分極反転の発見を皮切りに、磁気秩序と強誘電状態が結合した磁性強誘電物質（マルチフェロイクス）の研究は、近年の物性研究においてホットな話題を提供しています。マルチフェロイック物質の1つであるデラフォサイト型酸化物CuFeO2は、スピンが螺旋磁気構造を形成した場合に強誘電状態が現れることで知られていて、その強誘電相発現のメカニズムの解明が求められています。本研究では、CuFeO2に対する中性子散乱実験や放射光X線回折実験によって、スピンと誘電分極の微視的な結びつきを調べることによって、この物質の強誘電相の起源の解明を目指しています。これまでの研究によって、CuFeO2におけるメカニズムは、TbMnO3等の典型的な螺旋磁気秩序誘起型の強誘電状態のメカニズムとは異なる新しいものであることが判ってきました。講演では、中性子偏極解析によるスピンカイラリティーの電場反転現象や、放射光X線回折を用いた微小格子変調の観測等の結果を紹介したいと思います。

講演資料ダウンロード

「ナノ材料の社会受容研究における物材機構の取組み」

「液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製」 (PDF:538KB)

「中性子と放射光を利用した新奇マルチフェロイクスの研究」 (PDF:965KB)