- 名称
- 第10回 ナノテクノロジー基盤領域研究交流会
- 開催日
- 2009/02/04 (水)15：00～17：00
- 会場
- 独立行政法人物質・材料研究機構 千現地区 研究本館 第一会議室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
概要
| 講演1 |
「オーダーN法第一原理計算プログラムCONQUESTの開発と応用計算」
第一原理計算は、実験結果を再現するための経験的なパラメータを一切用いずに、すべて理論からエネルギーや原子に働く力を求めるという信頼性の高い手法である。しかし、巨大な系に対しては計算時間が膨大となるために、通常1千原子を超える系を扱うのはほとんど不可能である。本講演では、オーダーN法という巨大系に適した計算手法を説明し、我々が開発してきたオーダーN法第一原理計算プログラムCONQUESTとそれを用いた応用例（ナノ構造物質や巨大生体分子等）を紹介する。この手法、プログラムを用いて、2万原子以上の系に対する第一原理計算による構造最適化が可能となったこと等を示す。 |
|---|---|
| 講演2 |
「GaAs(001)表面の構造解析」
GaAs(001)表面再配列構造は、その存在が1965年に初めて確認されて以来、40年以上にわたって研究が続けられてきた。特に、STMの登場以降の80年代後半から数年間は、GaAs表面に限らず、表面構造に関する研究が最も盛んに行われ、90年代半ばにはGaAs(001)表面上に現れる多くの再配列構造の原子配列はほとんど解明されたと考えられていた。ところが、2000年以降に行われた研究によって、それまでに提唱された構造モデルの多くが誤りであったことが明らかになるとともに、新たな、そして信頼に足る構造モデルがいくつも報告されるようになってきている。本講演では、GaAsを初めとするIII-V族化合物半導体表面の再配列の特徴と基本的な原理を解説するとともに、その全容解明が近づきつつあるGaAs(001)表面構造の全体像について、いくつかの具体例とともに紹介する。 |
| 講演3 |
「半導体酸化物ナノ粒子－イオン注入熱酸化法による形成－」
イオン注入と言うと、一部の人たちは非常にマニアックで特殊な技術であるように思われているようであるが、今日のパソコンの全てのCPUがイオン注入によって作られている事実からも、現在の半導体集積回路製造技術においては不可欠の地位を獲得している。我々はこの技術の新たなる可能性も拓くべく、ナノテクノロジーへの応用を模索している。講演では、高品質の酸化物ナノ粒子の形成手法として、近年我々が提案している「イオン注入熱酸化法」について紹介する。具体的には、酸化物半導体であるZnOナノ粒子とCu2Oナノ粒子の形成過程とその光物性を中心とした特性について講演する。 |
