日本が世界をリードする次世代半導体・窒化ガリウム (GaN) の研究開発。その革新的な研究成果を一挙ご紹介するシンポジウムを開催します。
高耐圧性・省電力性などの特長により、電気自動車のモーター部品や高速通信5G向けのデバイスへの応用が期待されるGaNですが、その実用化に向けて低コスト化、高品質化が課題となっています。これらの課題を解決する作製・評価の新技術を本シンポジウムで初めて公開するほか、名大・天野教授を中心にトヨタ、三菱電気など産業界からキーパーソンが参加し、GaNの社会実装に向け
た展望を語ります。
すでに多数の参加申込をいただいております。ぜひお早めに席を確保してご参加ください。
----------------------------------------------------------------------
◇公開シンポジウム「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
- 青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術 - 」
日時 : 2018年5月16日 (水) 14 : 00~17 : 00
会場 : 学術総合センター 一橋講堂 (東京都千代田区一ツ橋2-1-2)
参加費 : 無料
事前申込制 :
http://www.aip.nagoya-u.ac.jp/event/detail/0004279.html
----------------------------------------------------------------------
