- 名称
- NIMSイブニングセミナー2009後期 (12) 「シンクトロン放射光を用いた計測・分析」
- 開催日
- 2009/12/18 (金)17:00~19:00
- 会場
- 独立行政法人物質・材料研究機構 東京会議室
東京都港区虎ノ門3-2-2 虎ノ門30森ビル2F 201号室
TEL. 03-5408-5690 (代) / FAX. 03-5408-5695 - 主催
- 独立行政法人物質・材料研究機構
- 共催
- 知の市場
- 協賛
- 財団法人総合工学振興会
NIMSイブニングセミナー2009後期 (12) 「シンクトロン放射光を用いた計測・分析」
「物質材料特論1b:物質・材料基盤技術とナノ材料の科学と展開2」
開催日 2009/12/18 (金)
概要
講義内容
| 科目構成 |
「シンクトロン放射光を用いた計測・分析」量子ビームの材料への応用
高エネルギー加速器から得られるシンクトロン放射光やX線自由電子レーザー等を用いた新しい計測・分析について、学術、産業、医療等への応用を交えて解説する。 |
|---|
次回内容
| 講義日 |
2009年12月25日(金)17:00~19:00 |
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| 科目構成 |
「イオンビームを用いたナノファブリケーション」量子ビームの材料への応用
イオンビーム技術は、元来素粒子・核物理の道具として発達してきたが、1960年代から半導体への不純物注入に転用され、また核融合炉構造材料や宇宙用半導体の照射損傷の研究手段に、あるいは高感度分析方法(RBS、PIXE等)として盛んに用いられ、今や半導体エレクトロニクス等には不可欠の技術となっている。その装置技術は、高/極低エネルギー化、集束ビーム、クラスタービーム等、多様化・高度化して来ており、最近では、ユニークなイオン・材料相互作用を活用したナノ構造・ナノ粒子制御に盛んに用いられる。イオン注入法は本質的に「原子操作」であると言えるが、原子衝突過程は蓋然的であるため、実際にナノレベルの材料制御を行うには基礎過程の理解と工夫が要る。特に、原子の注入という側面とともに、エネルギー付与過程が重要である。 |
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