- 名称
- NIMSイブニングセミナー (67) 「量子ビーム技術の身近な応用」
- 開催日
- 2009/01/16 (金)15:00~18:00 (終了後、懇親会を予定)
- 会場
- 独立行政法人物質・材料研究機構 東京会議室
東京都港区虎ノ門3-2-2 虎ノ門30森ビル2F 201号室
TEL. 03-5408-5690 (代) / FAX. 03-5408-5695 - 主催
- 独立行政法人物質・材料研究機構
概要
プログラム
| 講義1 |
「量子ビームセンターの紹介 (ご挨拶)」
環境・エネルギー等の諸問題に応えるには、ナノテクノロジーによるイノベーションが期待されると言われています。とりわけ、量子ビーム技術は、他の手法では得られないユニークな特徴があります。本セミナーは、量子ビーム技術を用いた比較的親しみ易い利用方法や研究事例を企業の方々にご説明し、実際的なニーズを伺う機会にしたいと考えています。 |
|---|---|
| 講義2 |
「静電気力・静電荷の振る舞いで知る物質の構造と応答」
コンピュータのメモリや、脳波などの生体電気に見られるように、我々は情報の伝達方法に、電荷や電位を使っています。これらの微視観測や、外界との相互作用の観測は、物理的な興味以上に、産業応用において極めて重要な意味があります。本セミナーでは、静電気力を検出するプローブ顕微鏡あるいは静電容量計を使うことで、電荷の振る舞いや各種光との相互作用が、どのように見え、そこから何がわかるのかを紹介します。 |
| 講義3 |
「液中分子ジェットを利用した金属基板上への分子固定」
中性子線の高い透過性を利用すると、プロセス過程における材料の状態のその場観測や、非破壊での測定が可能となります。我々のグループでは機構内で行われている物質・材料研究に中性子を利用することで、物質・材料研究には新たな知見を、中性子利用には新しいシーズの開拓を行っています。本セミナーでは、その中で液体中のセラミック微粒子が磁場中で配向する過程のその場観測を行った例などを紹介します。 |
| 講義4 |
「イオンビームを利用した半導体の分析法とその応用」
イオンビームを利用した半導体の分析技術は様々に応用されています。今回はSiフォトニクスやひずみ半導体技術への応用が注目を集めているGeをSi基板上に成長させた試料について、高エネルギーHeイオンを用いて分析した結果について紹介します。 |
| 講義5 |
「偏極原子ビームを用いた強磁場下での最表面磁性計測」
偏極準安定He原子ビームは、表面に極めて敏感なスピン偏極計測手段です。しかし、磁場印可した試料には利用できず、試料は強磁性体に限られるという問題がありました。我々は試料電流計測によりこの点を克服し、5テスラ強磁場下で最表面磁性計測を行える新しいシステムを開発しました。本装置を用い、酸化したFe表面フェルミ面においてFe清浄面と同程度に高いスピン偏極を見いだしました。 |
NIMSイブニングセミナーについてのお問い合わせ先
独立行政法人物質・材料研究機構
企画部人材開発室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
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