- 名称
- NIMSイブニングセミナー2010前期(12) 「ダイヤモンド電子デバイス」
- 開催日
- 2010/07/02 (金)17:00~19:00
- 会場
- 独立行政法人物質・材料研究機構 東京会議室
東京都港区虎ノ門3-2-2 虎ノ門30森ビル2F 201号室
TEL. 03-5408-5690 (代) / FAX. 03-5408-5695 - 主催
- 独立行政法人物質・材料研究機構
- 共催
- 知の市場
- 協賛
- 財団法人総合工学振興会
NIMSイブニングセミナー2010前期(12) 「ダイヤモンド電子デバイス」
「物質・材料特論1c:物質・材料基盤技術とナノ材料の科学と展開3」
開催日 2010/07/02 (金)
概要
講義内容
| 概要 |
「ダイヤモンド電子デバイス」安全・安心な社会の維持に貢献する新しいセンサの作成と基礎
宝石として珍重されるダイヤモンドを電子デバイスに利用していく上で欠かせない半導体化、デバイス基礎構造の形成に関して述べる。特に最近の重要な成果である深紫外線発光が得られるLED、宇宙空間での紫外線観測、原子炉からの高エネルギー放射線計測に用いられるダイヤモンドセンサー、電子放出デバイスに関して詳しく紹介する。 |
|---|
次回内容
| 講義日 |
2010年7月9日 17:00~19:00 |
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| 概要 |
「酸化スズ薄膜のエピタキシャル成長」安全・安心な社会の維持に貢献する新しいセンサの作成と基礎
高性能な酸化物薄膜を得るためにはエピタキシャル成長した膜を作製することが重要である。酸化スズ薄膜のエピタキシャル成長について、特に基板材料の効果について紹介する。またイオンビーム等を用いた組成・表面構造改質による基板特性制御が薄膜成長に及ぼす影響について解説する。 |
シラバスのダウンロード
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- 2010年度前期イブニングセミナーシラバス (PDF:111KB)
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NIMSイブニングセミナーについてのお問い合わせ先
独立行政法人物質・材料研究機構
企画部 人材開発室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL. 029-859-2555
FAX. 029-859-2799
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