我々の研究室では環境エネルギー材料に対応する材料の開発を行っています。III-V族窒化物半導体薄膜を利用した太陽電池に関する研究開発とプラズマを利用したSi原料の生成に関する研究に取り組んでいます。有機金属化学堆積法をベースにしたIII-V族窒化物薄膜やZnO薄膜を高品質化しながら、太陽電池やセンサなどのデバイスに応用しています。また、プラズマから発生した水素ラジカルを利用したSi原料の生成に関する基礎的研究を行っています。
主席研究員
角谷正友(Masatomo Sumiya)

In our research group, we have developed the materials which can be applied to environmental and energy issues. Our current targets are III-V nitride film and Si material. III-V nitride films, used generally in light emitting device, can be applied to solar cell, being expected as high efficiency solar cell. Improving the quality of III-V nitride film by metalorganic chemical vapor deposition, we have developed both solar cell and UV-light detector. In Si material, hydrogen radical generated in the atmospheric plasma has used for producting Si more efficiently and at lower temperature as the basic research.


2015.4.19 NIMSオープンキャンパスでノーベル賞の光を見ようで青色LEDのデモを行
いました。たくさんの来場者がありました。豊田合成鰍ゥら青色LEDとNIMS瀬川さ
ん、島村さんから黄色蛍光体の提供を受けました。ありがとうございました。対応し
てくれたSangさん、Jangさん、Fatimaさん、岡本君ありがとう。
2015.4.16 新しく来た事務員・南部さんの歓迎会と角谷さんの昇進祝いの飲み会
を開催しました。
2015.4.2 新しい年度がスタートしました。近くの桜の名所にランチに行ったら、
菜の花もきれいでした。
2015.3.16 馬淵さんの送別会を行いました。6年間グループのために事務を行って
くれて大変助かりました。ありがとうございました。
2015.3.13 Sangさんの論文InGaN based thin film solar cells: Epitaxy,
structural design, and photovoltaic propertiesがJ. Appl Phys.に掲載されまし
た。http://dx.doi.org/10.1063/1.4914908
2015.3.12 第62回応用物理学会春季学術講演会で発表を行います。

豊満直樹:InGaN薄膜表面に形成されたピットのCLと不純物との相関 12p-B1-17

中浦拓也:MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果 12a-D1-3

Fatima:Development of spparatus supplying hydrogen radical remotely to
decompose SiCl4 source 12a-A23-2
2015.2.18 physica status solidi aに投稿した論文Improvement of strained
InGaN solar cell performance with a heavily doped n-GaN substrate がオンライ
ンで掲載されました。http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201431732
2014.12.26 年末研究報告会 プチ学会
2014.12.19 Fatimaさんちで忘年会。Fatimaさんのダジン料理(マトン、オリーブプレート、ピーマンの肉詰めとてもおいしかったです。シュクラン。たこ焼きも格別でした。角谷さんの誕生日(12.11)のお祝いもしました。アイスクリーム器使ってく
ださいね。どうもありがとう。
2014.12.16 M1岡本君の誕生日、おめでとう。
2014.12.15 事務員の馬淵さん誕生日、おめでとうございます。
2014.12.13 豊満君台湾で開催されたISBLLED2014 でポスター発表
2014.11.27-12.2 筑波大チュニジアジョイントシンポジウムで発表
2014.11.18 豊満君が結晶工学分科会でポスター発表。ご苦労様でした。
2014.11.12 中浦君誕生日、おめでとう
2014.10.31 Shaharaさんが帰国、彼女の大好きなお好み焼屋で送別会
2014.10.23-10.25 中浦君がワイドギャップ半導体スクールに参加。しっかり勉強できましたか?
2014.10.23-10.24 弘前大で再度還元実験。アルジェリアからの研修生が再集結
2014.10.7 赤崎先生、天野先生、中村先生ノーベル物理学賞受賞おめでとうございます。
2014.9.15 応用物理学会 北大で発表
2014.9.3 ShaharaさんがUSTOから2か月の研修生としてメンバーに加わりました。
2014.8.25 SSBプロジェクト 研究報告会 岡本君、Fatimaさん、堤君ご苦労様です。
2014.8.25-8.30 ポーランドで開催されたIWN2014で発表
2014.8.21 2年半ポスドクとして活躍した原田善之さんの送別会・ボーリング大会を行いました。
原田さんは法政大学精密分析室に異動することになりました。がんばってください。
2014.7.27 GRE2014@東京ビックサイトで発表、PVJapanでSSBプロジェクトについて紹介した。
アルジェリアからたくさんの方も来られ、成果を紹介しました。
2014.7.17-7.18 M1岡本君、D3 Fatimaさんが弘前大にSiOの還元の実験に行きました。
伊高先生実験と美味しいお酒ありがとうございました。
2014.7.5 堤君誕生日、おめでとう。
2014.7.1 ポスドク研究員のSangさんがNIMSの定年制職員に採用されました。これからもがんばってください。
2014.6.14 卒業生の久保田君が実験指導に来てくれました。水素ラジカルの実験が順調に進んでいます。ありがとう。
2014.6.5 新メンバーの歓迎会
2014.6.2 USTO (Algeria)からD3 FatimaさんがJICA Training programで1年間我々のグループで研究することになりました
2014.5.11-5.17 角谷、岡本君 4th Asia Africa Sustainable Energy Forum Univ.of Sci & Tech, Oran, Algeria 半年ぶりにFatimaさん、Shaharaさんと再会
2014.4.28 Siルネッサンス研究会@筑波大学鈴木研究室
2014.4.17 千葉大学工学部ナノサイエンス工学科3年生授業 非常勤講師を前期間スタート。よろしくお願いします。
2014.4.14 法政大石垣研からM1中浦君、B4堤君がメンバーに加わりました。
2013.3.25 法政大M2久保田君と研究業務員の中野さんの送別会を行いました。卒業おめでとう。ご苦労様でした。
2013.3.22 共同研究している筑波大上殿先生の論文がJ. Appl. Phys. 113, 123502 (2013).に掲載されました。
2013.3.22 第60回応用物理学会学術講演会で発表します。
28p-G6-3 クロロシラン系原料分解における水素ラジカル発生源の検討 物材機構1,法政大2,東大新領域3 ○久保田誠1,2,池田直樹1,2,鯉沼秀臣3,石垣隆正2,角谷正友1
28p-PA1-8 Temperature dependence of photovoltaic properties in InGaN solar cells 物質材料研究機構 ○(P)Liwen Sang,廖 梅勇,池田直樹,小出康夫,角谷正友
28p-PA1-9 InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価 中部大総工研1,兵庫県立大高度研2,物材機構3 ○中野由崇1,新部正人2,Michael Lozac'h3,Liwen Sang3,角谷正友3
2013.3.15 phys. sta. solidi (a)に掲載されたMickael君の論文が2013年3月号の表紙になりました。
2013.2.21 Mickael君のInxGa1-xN薄膜のSpring8でのhard x-ray photoeimission spectroscopyの論文がSci. Tech. Adv. Mat.に掲載されました。
2013.2.20 M2久保田君がクロロシラン系原料分解の水素ラジカル効果に関する修論発表を行いました。よくがんばりました。
2013.2.18 池田君が熱プラズマによるBaTiO3ナノ粒子合成に関する卒論発表を行いました。よくがんばりました。
2012.11.12 Mickael君のInGaN薄膜中の欠陥評価の論文がJJAPに掲載されました。
2012.10.30 工学院大学125周年記念 11th International Symposium on Advanced Technogoly (ISAT-Special)でJST-ALCAプロジェクトのメンバーが招待講演を行いました。
‘Correlation between Deep-Level Defects and Carrie Trapping in AlGaN/GaN Hetero-Structures (invited)’ Yoshitaka Nakano
‘Potentila of III-V Nitride Films for the Application to Photovoltaic Device (invited)’ Masatomo Sumiya, Akira Uedono, Yoshitaka Nakano, Toru Honda
‘Fabrication of GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes for Integrated RGB Pixels’ Tohru Honda
‘Defect Characterization of InGaN Alloys Probed Using a Monoenergetic Positron Beam (invited)’ A. Uedono, S. Ishibashi, T. Watanabe, X. Q. Wang, S. T. Liu, G. Chen, L. W. Sang, M. Sumiya, B. Shen
2012.10.25 NIMSフォーラムでICYS-MANA研究員のDr. Sagn Liwenさんがポスドクポスター賞を受賞しました。おめでとうございます。
2012.1010-10.19
Algeria Univ. of Sci. &Tech, Oranの博士課程2年のCHEWKI Zegadi君がSATREPS(JST-JICA)プロジェクトで研修に来ました。新しくチームに加わった多田さんと一緒に歓迎会を行いました。
2012.10.14-10.19
International Workshop on Nitride Semiconductor(IWN2012)で発表を行いました。
‘Photo-electricity energy conversion devices based on InGaN film’ Liwen Sang, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Masatomo Sumiya
‘Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE’ Y. Fujita, Y. Takano, Y. Inoue, M. Sumiya, S. Fuke, T. Nakano
2012.10.2
11th APCPST&25th SPSM学会(京都)で‘"Effect of hydrogen radical on decomposition of chlorosilane source gases"(角谷)の招待講演を行いました。
2012.9.14
2012秋季第73回応用物理学会学術講演会で発表を行いました。
InGaN厚膜の欠陥準位評価 中部大1,兵庫県立大2,物材機構3○中野由崇1,新部正人2,Mickael Lozac'h3,Liwen Sang3,角谷正友3 12a-PB-19
MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発 静大院工1,静大工2,物質・材料研究機構3 ○藤田陽平1,高野 泰2,井上 翼2,角谷正友3,福家俊郎2,中野貴之2 12p-H9-4
低速陽電子ビームを用いたInxGa1-xN混晶の空孔型欠陥の検出 筑波大数理1,産総研ナノシステム2,北京大物理3,物材機構4 ○渡邊智仁1,上殿明良1,石橋章司2,X. Q. Wang3,S. T. Liu3,G. Chen3,L. W. Sang4,角谷正友4,B. Shen3 12p-H9-18
‘極薄AlN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上’ Liwen SANG,廖 梅勇,池田直樹,小出康夫,角谷正友 14a H10-10
2012.8.29
JSTさきがけ エネルギー高効率利用と相界面 でSangさんが「高効率光電変換デバイスの実現に向けたV族窒化物のマルチバンドエンジニアリング」で採択されました。
2012.7.16-7.19 International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-4)St. Petersburg)で発表
を行いました
‘Growth and deep level defect evaluation of InGaN films for the application of photovoltaic devices’
M. Sumiya, L. W. Sang, M. Lozac'h, and Y. Nakano
‘High signal-to-noise ratio visible-blind photodetector by using slightly Mg-doping InGaN’
L. Sang, M. Liao, Y. Koide, and M. Sumiya
2012.6.29
山本さんの送別会を行いました。お陰様で無事に装置が立ち上がりました。
短い間
でしたがお疲れ様でした。どうぞお元気で。
2012.5.10 窒化物薄膜やZnO薄膜など次世代太陽電池に期待されるマテリアルとして、雑誌「マテリアルステージ」
5月号 12巻 p. 46
に研究内容が掲載されました。
2012.5.7 特別研究員の山本さん、ポスドクの原田さん、法政大学4年生の池田君の3名がメンバーに加わり歓迎会を行いました。新メンバーと一緒にまたばんばりましょう!
2012.3.23 羽成君、秋月君が卒業。送別会を行いました。
2012.3.15-3.18 第59回応用物理学関係連合講演会(早稲田大学)
久保田君が初めて学会発表をしました。
「クロロシラン系原料分解における水素ラジカル効果」17a A6-2
久保田 誠,秋月 智大,羽成 優,鯉沼 秀臣,石垣 隆正,角谷 正友

熱安定高品位InGaNを用いた可視光ブラインドフォトダイオードの開発 15p-F12-10
Sang Liwen, Liao、池田直樹、小出康夫、角谷正友

共同研究者中部大中野先生発表 
「光容量分光法によるInGaN厚膜の欠陥準位評価」 16a-DP1-16
中野由崇、Mickael Lozac’h, Liwen Sang、角谷正友
2012.3.5-3.8 ISPlasma2012(中部大)でLozac’h君がLate Newsで発表
‘Schottoky properties enhanced by using compensated Mg doped InGaN films material at interface metal-InGaN Mickael’ (P3126B-LN)
Loazc’h, Yoshitaka Nakano, Liwen Sang, Kazuaki Sakoda and M. Sumiya
2012.2.23 東北大多元研―NIMS 連携ラボ 第7回公開シンポジウム
「III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用」(角谷)で講演
2012.2.21

法政大M2 秋月智大君 修論発表「熱プラズマ中のSi生成反応における水素ラジカル効果」

2012.2.20 法政大B4 羽成優君 卒論発表「RF熱プラズマによるナノ粒子の合成」
2012.1.4 本年もどうぞよろしくお願いします。
2011.12.15 事務員の馬淵さんの誕生日を皆でお祝しました。
2011.11.23 SangさんのIII-V族窒化物太陽電池に関する論文がSemiconductor-todayに取り上げられました。
2011.11.18 鯉沼先生・中井先生との共著解説記事が月刊化学12月号に掲載されました。
2011.11.11 岐阜大に異動した松木さんの本(分担)が出版されました。
フリーにウェブサイトやファイルを転載できます。
nitride-semiconductor-heterojunction-solar-cells
2011.10.19 III-V族窒化物太陽電池に関する論文がAppl. Phys. Lett vol. 99,161109 (2011)に掲載されました
2011.10.1 土浦花火大会を堪能。馬淵さんの作った料理も堪能。心温まるひとときでした。ありがとう。
       
2011.9.29-30 International Conference for 'Minerals and Materials-Mongolia-2011'で招待講演
M.Sumiya,T.Hashimoto and H.Koinuma
'Innovative fabrication of solar grade Si materials directed towards sustainable -energy society'
2011.8.22-26 The 1st Asia-Arab Sustainable Energy Forumで、久保田君と秋月君が行ったSi生成時の水素ラジカル効果に関する成果について発表を行いました。
あいち臨空新エネルギーパークと中部大学藤原洋記念超伝導・持続可能エネルギー研究センターを見学しました。
2011.8.11 JST-ALCA角谷チームの研究報告会を工学院大学で開催しました。
                   
研究報告会プログラム
2011.7.22 Sangさんが250℃でも動作する高性能InGaNフォトダイオード(UV-Aregion)を開発し、Appl.Phys.Lett.(99,031115(2001))に掲載されました。
2011.7.25 浜名湖から取り寄せた鰻で暑気払い.
〆にうな茶づけを食べて、夏バテ解消!?
2011.7.10-15 ICNS-9 学会で発表
1.Development and analysis of polarity inversion GaN MOVPE by using Mg-doping
Iwase, T; Tachi, T; Aoki, T; Sumiya, M; Fuke, S; Nakano, T 2011.07.12 (PB2.40)

2.Evaluation of InxGa1-xN films by hard x-ray photoemission spectroscopy
Sumiya, M; Lozac'h, M; Yoshikawa, H; Sang, L; Wang, X; Lau, S; Ueda, S; Sakoda, K; Kobayashi, K
2011.07.13 (PL3.10)

3.High-performance InGaN-based Photodetectors for High-temperature Ultraviolet Detection
Sang, L.W (presenting); Liao, M.Y; Koide, Y; Sumiya, M 2011.07.14 (J4.6)
2011.5.22-26 APWS 2011
1.Effect of a super-thin AlN interlayer on the improvement of InGaN-based solar cell performance
Liwen Sang,Meiyong Liao,Naoki Ikeda,Yasuo Koide,and Masatomo Sumiya Mo-P25 2011.05.23

2. Properties of III-V nitride thin film Schottky solar cell using PEDOT:PSS as transparent
conductive polymer
Mickael Lozach, Yoshitaka Nakano, Kazuaki Sakoda and Masatomo Sumiya Mo-P27 2011.05.23

3. High-performance metal-semiconductor-metal photodetectors using CaF2 as the insulator
Liwen Sang,Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Masatomo Sumiya Mo-P31 2011.05.23
2011.05.20 法政大4年生 羽成君歓迎会 震災で大変でしたが、新メンバーと一緒にまたばんばりましょう!
2011.04.14 'Effect of the polarity on wurtzitenitride and oxide materials grown by MOVPE and their new application' 講演会@北京大 

震災のご心配のメールありがとうございました。壊れた装置もありましたが、メンバー全員無事でなによりでした。心より御礼申し上げます。
2011.3.9 Sangさんが開発した紫外線検出器に関する論文がAPLに掲載されました。
2011.3.7 A領域紫外線(320-400nm)検出器が新聞記事に取り上げられました。
2011.2.28 2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会(平成23年3月24−27日)で研究室から3件発表を行います。
42.1ソーラーシリコンの生産技術革新とサハラスーパーエネルギー戦略(シンポジウム)
24p-CE-9 (3月24日 CE会場)「シーメンス法の技術革新(25分)」 物材機構1,日大文理2
 ○角谷正友1,橋本拓也2

15.4 III-V族窒化物結晶 
26a-BZ-6(3月26日 BZ会場)「Schottky solar cells using transparent conductive polymer on III-V nitride thin films」
物質・材料研究機構1,筑波大2,中部大3 
○Mickael Lozach1,2,中野由崇3,迫田和彰1,2,角谷正友1

15.4 III-V族窒化物結晶 
26a-BZ-8(3月26日 BZ会場)「極薄AlN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上」 
物質・材料研究機構
○(PC)Liwen Sang,Meiyong Liao,Naoki Ikeda,Yasuo Koide,Masatomo Sumiya
2011.2.10 先端的低炭素化技術開発事業(ALCA)で平成22年度新規研究開発課題に「集光型TTT−X族窒化物太陽電池の高効率化とその実用デバイスへの展開」で採択されました。
2011.1.26 中部大学・中野先生との共同研究に関する論文がJ. Vac.Sci.Tech Bに掲載されました。Photocapacitance spectroscopy study of deep-level defects in freestanding n-GaN substrates using transparent conductive polymer Schottky contacts
2010.12.11 学振ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会、光電相互変換第125委員会の合同研究会において「次世代太陽電池における窒化物半導体太陽電池の位置づけとそのロードマップ」で講演
次世代太陽電池センターで成果報告会を行いました。
.Liwen Sangさんが行ったp-InGaN薄膜に関する論文がAPEXに掲載されました。
2010.10.1 藤本君が行ったMOCVD-ZnOからのPLに関する論文がAPLに掲載されました。
2010.10.2 土浦花火大会を観ながら飲み会。馬淵さんの作ったおでん美味しかった!!
2010.9.22 秋月君・久保田君が行っているプラズマからの水素ラジカルを利用したSi生成に関する研究が日経産業新聞で紹介されました。
2010.9.16 第71回応用物理学会学術講演会(長崎大学)でのシンポジウム:未来型循環社会技術研究グループ企画「エネルギー変換デバイスの現状」において「窒化物半導体系太陽電池の可能性と課題」で講演
2010.8.23 IU-MRS 「Growth of wide band gap nitride and oxide films by metalorganic chemical vapor deposition -Effect of the polarity of wurtzite materials and the application of III-V nitride film -」で招待講演
  2010.8.8   Internshipで3か月在籍したAntoineのFarewell BBQ (フォトギャラリーを見て下さい)  
  2010.7.29  NEDO若手産業技術研究助成事業 「窒化物薄膜の極性構造を利用した透過型短波長光電面の開発」 (代表:角谷正友 平成16年度採択) をスタートとして 、共同研究先である静岡大学と浜松ホトニクスからGaN光電面製品化に関するプレスリリースが行われました
プレスリリース記事

■これに関する新聞記事一覧:
   
   
   
 
  20107.22  第56回マテリアルズ・テ−ラリング研究会で「Si生成プロセスにおける水素ラジカル効果の検討」
で招待講演