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施設・装置 (Facility & Equipment)

   

装置仕様 (Equipment details)

リソグラフィ装置群 (Lithography Equipment)

 
 125kV電子ビーム描画装置 (125kV-EB Writer)

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
Elionix
型番: ELS-F125
用途: 高精細ナノパターニング
Nanopatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
 Academic price per hour
 機器利用 / Self use
\11,000
 技術補助 / Technical support
\14,000
 技術代行 / Processing service
\17,000
 装置仕様
電子銃
Emitter
ZrO/W TFE
最大加速電圧
Max acceleration voltage
125kV (25kV step)
フィールドつなぎ精度
Field stitching accuracy
< 25nm (500um field)
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 30nm (500um field)
試料サイズ
Max sample size
6 inch wafer
走査クロック周波数
Scanning clock frequency
100MHz


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 100kV電子ビーム描画装置 (100kV-EB Writer)

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
Elionix
型番: ELS-7000
用途: 高精細ナノパターニング
Nanopatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \7,000
技術補助 \10,000
技術代行 \13,000
 装置仕様
電子銃
Emitter
ZrO/W TFE
最大加速電圧
Max acceleration voltage
100kV (25kV step)
フィールドつなぎ精度
Field stitching accuracy
< 40nm (500um field)
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 40nm (500um field)
試料サイズ
Max sample size
6 inch wafer
走査クロック周波数
Scanning clock frequency
100MHz


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 ナノインプリント装置 (Imprint lithography)

ナノインプリント装置
メーカー名: 東芝機械
Toshiba Machine
型番: ST50
用途: ナノインプリント
Imprint lithography
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
インプリント方式
Imprint method
紫外線インプリント
UV imprint
光源
Light source
365nm LED
照射範囲
Exposure area
φ3インチ
プレス力
Pressing power
最大50kN
試料サイズ
Max sample size
4 inch wafer
その他
Others
モールドはユーザーにて準備のこと
An imprint mold has to be prepared by a user


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 高速マスクレス露光装置 (High-speed Maskless Lithography)

レーザー露光装置
メーカー名: ナノシステムソリューションズ
Nanosystem Solutions
型番: DL-1000 / NC2P
用途: 高速マスクレスパターニング
Scanning maskless lithography
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \5,000
技術補助 \8,000
技術代行 \11,000

 装置仕様
光源
Light source
405nm LED(h線)
照度
Illumination
1W/cm2
位置決め精度
Positioning accuracy
< 500nm
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 500nm
試料サイズ
Max sample size
8 inch square
その他
Others
グレースケール露光,自動/手動アライメント機能,汎用CAD読込可
Grayscale lithography, Auto/Manual alignment, CAD file importable


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 レーザー露光装置 (Maskless lithography)

レーザー露光装置
メーカー名: ナノシステムソリューションズ
Nanosystem Solutions
型番: DL-1000
用途: マスクレスマイクロパターニング
Maskless patterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源
Light source
405nm半導体レーザー(h線)
405nm Laser
照度
Illumination
300mW/cm2
位置決め精度
Positioning accuracy
< 1um
重ね合わせ精度
Mix & Match accuracy
< 1um
試料サイズ
Max sample size
4 inch square
その他
Others
自動/手動アライメント機能,汎用CAD/画像ファイル読込可
Grayscale lithography, Auto/Manual alignment, CAD file importable


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 マスクアライナー (Mask Aligner)

マスクアライナー
メーカー名: ズース・マイクロテック
SUSS MicroTec
型番: MA6 BSA
用途: 高スループットマイクロパターニング
Micropatterning
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
露光方式
Contact mode
バキューム,ハードコンタクト,ソフトコンタクト,プロキシミティ
Vacuum, Hard, Soft, Proximity
光源
Light source
Broadband UV lamp(350-450nm)
解像度
Resolution
1um
アライメント精度
Alignment accuracy
Surface: 0.5um,Backside: 1um
試料サイズ
Max sample size
φ6 inch wafer
その他
Others
両面露光可能
BSA (Both Side Alignment) lithography


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 プラズマアッシャー

プラズマアッシャー
メーカー名: ヤマト科学
型番: PB-600
用途: 基板クリーニング,レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
高周波出力 0-600W連続可変
反応ガス O2
処理時間設定 任意 (チャンバー温度150度でインターロックあり)
試料サイズ 最大φ6インチ


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 UVオゾンクリーナー

UVオゾンクリーナー
メーカー名: サムコ
型番: UV-1
用途: 基板クリーニング,表面改質
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 紫外線ランプ (184.9nmおよび253.7nm)
オゾンジェネレータ 無声放電方式高濃度オゾナイザー
ステージ温度 室温~300度
試料サイズ 最大φ8インチ


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 エキシマクリーナー

エキシマクリーナー
メーカー名: マルチプライ
型番: EXC-1201
用途: 基板精密クリーニング,表面改質
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 172nmエキシマ紫外線ランプ
照射距離 3-35mm
ステージ温度 室温~200度
試料サイズ 最大φ4インチ


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薄膜形成装置群

 

 全自動スパッタ装置

全自動スパッタ装置
メーカー名: アルバック
型番: J sputter
用途: 金属・絶縁薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ可能
電源出力 最大500W
カソード φ4インチ×4式
プロセスガス Ar,O2,N2
試料サイズ 最大φ6インチ:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
現有ターゲット Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO


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 超高真空スパッタ装置

超高真空スパッタ装置
メーカー名: ビームトロン
型番:  
用途: 垂直対向スパッタによる薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性スパッタ可能
電源出力 DC:最大1kW/RF:最大300W
カソード φ2インチ×4式
プロセスガス Ar,O2
試料サイズ 最大φ3インチ:試料ステージ加熱可 (最大800度)
現有ターゲット Au, Pt, Ag, Cu, Al, W, Mo, Ta, Ti, TiN, Ni, Cr, Si, SiO2, TiO2, MgO, ITO, PZT, CaF2


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 12連電子銃型蒸着装置

12連電子銃型蒸着装置
メーカー名: アールデック
型番: RDEB-1206K
用途: リフトオフ向け金属薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
蒸着方式 電子銃型×1式
ターゲット 12連式(Ti,Cr,Ni,Co,Pt,Au×2,Pd,Ag,AuGeは固定)
到達真空度 1.0e-5 Pa
TS間距離 500mm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 水冷式試料ステージ


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 超高真空電子銃型蒸着装置

超高真空電子銃型蒸着装置
メーカー名: エイコーエンジニアリング
型番:  
用途: リフトオフ向けアルミ薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
蒸着方式 電子銃型×1式
ターゲット 5連式(Ti,Au,Al×3)
到達真空度 1.0e-7 Pa
TS間距離 500mm
試料サイズ 最大φ3インチ
その他 試料ステージ傾斜/回転可能


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 原子層堆積装置

原子層堆積装置
メーカー名: Picosun (アルテック)
型番: SUNALE R-100B
用途: 高品質絶縁膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
成膜材料 Al2O3,HfO2
原料 TMA,TEMAHf,H2O
成膜温度 100-450度
成膜レート 0.1nm/Cycle
試料サイズ 最大φ4インチ


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 プラズマCVD装置

プラズマCVD装置
メーカー名: サムコ
型番: PD-220NL
用途: 高品質SiO2薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ方式 平行平板型
電源出力 30-300W
原料 TEOS
成膜温度 400度以下
試料サイズ 最大φ8インチ


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 高圧ジェットリフトオフ装置

メーカー名: カナメックス
型番: KLO-150CBU
用途: リフトオフ、レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
レジスト膨潤 80℃ NMP溶液
レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液
リンス IPA, 純水
乾燥 スピン乾燥、N2ブロー
試料サイズ 最大φ6インチ


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ドライエッチング装置群

 

 多目的ドライエッチング装置

多目的ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-200NL
用途: 多種材料のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 平行平板型
電源出力 最大300W
プロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ8インチ


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 化合物ドライエッチング装置

化合物ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-101iPH
用途: 化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 200度以下
試料サイズ 最大φ3インチ


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 シリコン深堀エッチング装置

シリコン深堀エッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 ASE-SRE
用途: MEMS等,シリコン深堀エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
プロセスガス SF6,C4F8,Ar,O2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ3インチ


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 酸化膜ドライエッチング装置

酸化膜ドライエッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 RV-APS-SE
用途: SiC,SiN,SiO2や各種酸化膜の高速エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \5,000
技術補助 \8,000
技術代行 \11,000

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
プロセスガス CHF3,C2F6,C4F8,SF6,Ar,O2,He
試料ステージ温度 -10~+40度
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備


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 FIB-SEMダブルビーム装置

FIB-SEMダブルビーム装置
メーカー名: SIIナノテクノロジー
型番: Xvision200DB
用途: TEM試料作製,イオン照射による直接加工
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \7,000
技術補助 \10,000
技術代行 \13,000

 装置仕様
イオン源 Ga液体金属
FIB加速電圧 1-30kV
電子銃 ZrO/W熱電界放射型
SEM加速電圧 1-30kV
試料サイズ 最大φ8インチ
その他 FIB:試料ステージに直交/SEM:FIBに対して54度傾斜,カーボンデポジションシステム,マイクロプロービングシステム


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熱処理装置群

 
 急速赤外線アニール炉

急速赤外線アニール炉
メーカー名: アルバック理工
型番: QHC-P410
用途: 合金化,急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
加熱方式 放物面反射赤外線管状加熱方式
プロセス温度 1150度以下
昇温速度 40度/秒以下
プロセスガス Ar, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ 20mm角以下×4


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 シリコン酸化・熱処理炉

シリコン酸化・熱処理炉
メーカー名: 光洋サーモシステム
型番: MT-2-6X20-A
用途: 小片シリコン酸化,長時間アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
加熱方式 細線ヒーター加熱方式
プロセス温度 300-1000度
酸化雰囲気 O2ドライ酸化,バブリングウエット酸化
アニール雰囲気 O2,N2
試料サイズ 最大φ2インチ


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 ウエハRTA装置

シリコン酸化・熱処理炉
メーカー名: ハイソル
型番: AccuThermo AW610
用途: 小片~φ6インチの急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
加熱方式 赤外線ランプ加熱方式
プロセス温度 1250度以下
昇温速度 150度/秒以下@Siウエハ、40度/秒以下@SiCサセプタ
プロセスガス N2, Ar, Ar+H2(3%), O2
試料サイズ 最大φ6インチ


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プロセス評価・観察装置群

 
 走査電子顕微鏡

走査電子顕微鏡
メーカー名: 日立ハイテク
型番: S-4800
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
電子銃 ZrO/W 電界放射型
加速電圧 0.1-30kV
2次電子像分解能 1.0nm (ノーマル:15kV),1.4nm (リターディング:1.0kV)
試料ステージ 5軸モーター駆動
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 各種試料ホルダー装備


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 原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡
メーカー名: SIIナノテクノロジー
型番: L-traceⅡ
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
測定モード AFM,DFM,FFM,PM,SIS
走査範囲 90um
ステージ移動範囲 X:±75mm/Y:+105mm
分解能 垂直:0.01nm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 カンチレバー自動交換機能,レシピ登録自動測定機能


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 3次元測定レーザー顕微鏡

3次元測定レーザー顕微鏡
メーカー名: オリンパス
型番: LEXT OLS4000
用途: 非接触3次元形状観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 405nm半導体レーザー
分解能 XY:0.12um/Z:0.01um
繰り返し性 XY:3σ=0.02um,/Z:1σ=0.012um(対物レンズ100倍時)
観察モード レーザー観察,白色光明視野,微分干渉観察
試料サイズ 100mm角以下


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 イオンスパッタ

イオンスパッタ
メーカー名: 日立ハイテク
型番: E-1045
用途: SEM,FIB-SEMの前処理
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
成膜材料 プラチナ/カーボン
プラチナ成膜方式 ダイオード放電マグネトロン型
カーボン成膜方式 直接通電加熱蒸着
試料サイズ 最大φ60mm


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 自動エリプソメータ

自動エリプソメータ
メーカー名: ファイブラボ
型番: MARY-102FM
用途: 絶縁膜形成評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
光源 632nm He-Neレーザー
ビーム系 0.8mm
入射角 50,60,70度
試料サイズ 最大φ6インチ


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 触針式表面段差計

触針式表面段差計
メーカー名: KLA Tencor
型番: Alpha Step IQ
用途: 接触式段差測定
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
分解能 1.19pm (±10umレンジ)/23.8pm (400umレンジ)
走査距離 10mm
膜厚測定範囲 最大400um
試料サイズ 最大φ6インチ


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 オスミウムコータ

イオンスパッタ
メーカー名: メイワフォーシス
型番: Neoc-Pro
用途: SEM,FIB-SEMの前処理
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
成膜材料 オスミウム金属
成膜方式 プラズマCVD
膜厚制御 0.25nm~
試料サイズ 最大φ4インチ


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 薄膜応力測定装置

イオンスパッタ
メーカー名: 東朋テクノロジー
型番: FLX-2000-A
用途: 薄膜応力測定
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
測定方式 レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー)
測定範囲 1~4000MPa
測定再現性 1.3MPa(1σ)
試料サイズ φ3インチ, φ6インチ, φ8インチ
その他 3Dマッピング機能


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切削・研磨装置群

 
 ダイシングソー

ダイシングソー
メーカー名: ディスコ
型番: DAD322
用途: シリコン/石英/サファイア基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,000
技術補助 \6,000
技術代行 \9,000

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドブレード
切削範囲 XY:162mm以下
スピンドル回転数 3000-40000rpm
顕微鏡 モニタ上倍率27倍/270倍電動切替
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 オート/セミオート/マニュアルアライメント機能


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 自動スクライバー

自動スクライバー
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DPS-301R
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:110mm以下
ステージ駆動分解能 1um
カッター荷重 10-30g
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 自動ブレーキング可


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 CMP研磨装置

CMP研磨装置
メーカー名: Logitech
型番: PM5
用途: 半導体基板の薄片化/平坦化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
プレート材質 ガラス/鉄/クロス
プレート径 φ12インチ
プレート速度 1-70rpm
スラリー シリカアルミナ/粒径10,20,50um
試料サイズ 最大φ3インチ


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 手動スクライバー

手動スクライバー
メーカー名: 共和理研
型番: K-604S100
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 設定なし
技術補助 設定なし
技術代行 設定なし

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:100mm以下
カッター荷重 50-1000g
試料サイズ 最大φ4インチ


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 ブレイキング装置

ブレイキング装置
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DBM-401R
用途: 半導体基板のへき開
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 自動スクライバー付帯装置
技術補助 自動スクライバー付帯装置
技術代行 自動スクライバー付帯装置

 装置仕様
ブレイキング方式 基板裏面ブレード接触
ブレード幅 80mm
ステージ駆動範囲 110mm
試料サイズ 最大φ4インチ


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電気特性評価装置群

 
 室温プローバーシステム

室温プローバーシステム
メーカー名: ベクターセミコン,アジレント・テクノロジー
型番: MX-200/B,B1500A
用途: I-V/C-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
プローブ 同軸プローブ
マニピュレータ 4基
I-V測定端子 4ユニット
C-V測定端子 1ユニット
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 試料ステージ電圧印加可,除振台/シールドボックス装備


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 液体窒素プローバーシステム

極低温プローバーシステム
メーカー名: サーマルブロック,ケースレーインスツルメンツ
型番: SB-LN2PS,4200-SCS
用途: 77K台から500KまでのI-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
試料冷却方式 液体窒素
プローブ SMAプローブ
マニピュレータ 4基
I-V測定端子 4ユニット
試料サイズ 最大20mm角
その他 77Kから500Kまで任意に温度設定可


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 極低温プローバーシステム

極低温プローバーシステム
メーカー名: ナガセテクノエンジニアリング,ケースレーインスツルメンツ
型番: GRAIL10-308-6-4K-LV-SCM,4200-SCS
用途: 4K台から室温までのI-V/C-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
試料冷却方式 無冷媒式
プローブ 同軸プローブ
マニピュレータ 6基
I-V測定端子 6ユニット
試料サイズ 最大20mm角
その他 試料ステージ電圧印加可,液体ヘリウム移送式超伝導マグネット装備(±1.5T)
※液体ヘリウムはユーザー負担


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 ワイヤーボンダー

ワイヤーボンダー
メーカー名: West Bond
型番: 7476D
用途: チップキャリアへのボンディング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,000
技術補助 \5,000
技術代行 \8,000

 装置仕様
ボンディング方式 超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
ボンディングウェッジ 45度,90度
ワイヤー材質 金線,アルミ線
ワークホルダー温度 300度以下
試料サイズ 50mm角以下,DIPパッケージ


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【各種問合せ】
NIMS微細加工プラットフォーム事務局
〒305-0047  茨城県つくば市千現1−2−1
TEL:029-859-2797
FAX:029-859-2309
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