NIMS微細加工プラットフォーム
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施設・装置

   

装置仕様

リソグラフィー装置群

 
 125kV電子ビーム描画装置

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
型番: ELS-F125
用途: 高速高精細ナノパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \6,300
技術補助 \7,800
技術代行 \10,200
 装置仕様
電子銃 ZrO/W熱電界放射型
最大加速電圧 125kV (25kVステップで可変)
フィールドつなぎ精度 < 25nm (600umフィールド)
重ね合わせ精度 < 30nm(600umフィールド)
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 汎用CAD(dxfファイル)にも対応(CAD用パソコンの利用は無料)


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 100kV電子ビーム描画装置

電子ビーム描画装置
メーカー名: エリオニクス
型番: ELS-7000
用途: 高精細ナノパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \4,300
技術補助 \5,800
技術代行 \8,200
 装置仕様
電子銃 ZrO/W熱電界放射型
最大加速電圧 100kV (25kVステップで可変)
フィールドつなぎ精度 < 40nm
重ね合わせ精度 < 40nm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 汎用CAD(dxfファイル)にも対応(CAD用パソコンの利用は無料)


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 ナノインプリント装置

ナノインプリント装置
メーカー名: 東芝機械
型番: ST50
用途: 高速ナノパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \6,800

 装置仕様
インプリント方式 紫外線インプリント
光源 365nm LED
照射範囲 φ3インチ
プレス力 最大50kN
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 ステップ&リピート機能有り


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 高速マスクレス露光装置

レーザー露光装置
メーカー名: ナノシステムソリューションズ
型番: DL-1000 / NC2P
用途: 高速高精度マスクレスパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,300
技術補助 \4,800
技術代行 \6,300

 装置仕様
光源 405nm LED(h線)
照度 1W/cm2
位置決め精度 ±100nm以下
重ね合わせ精度 ±100nm以下
試料サイズ 最大8インチ角
その他 スキャニング高速露光,自動/手動アライメント機能,汎用CAD/画像ファイル読込可


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 レーザー露光装置

レーザー露光装置
メーカー名: ナノシステムソリューションズ
型番: DL-1000
用途: マスクレスマイクロパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,300

 装置仕様
光源 405nm半導体レーザー(h線)
照度 300mW/cm2
位置決め精度 ±1um以下
重ね合わせ精度 ±1um以下
試料サイズ 最大4インチ角
その他 自動/手動アライメント機能,汎用CAD/画像ファイル読込可


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 マスクアライナー

マスクアライナー
メーカー名: ズース・マイクロテック
型番: MA6 BSA
用途: 高スループットマイクロパターニング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,600

 装置仕様
露光方式 バキューム,ハードコンタクト,ソフトコンタクト,プロキシミティ
光源 ブロードバンドUVランプ(350-450nm)
解像度 最小1um
アライメント精度 表面 0.5um,裏面1um以下
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 両面露光可能


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 プラズマアッシャー

プラズマアッシャー
メーカー名: ヤマト科学
型番: PB-600
用途: 基板クリーニング,レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
高周波出力 0-600W連続可変
反応ガス O2
処理時間設定 任意 (チャンバー温度150度でインターロックあり)
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 UVオゾンクリーナー

UVオゾンクリーナー
メーカー名: サムコ
型番: UV-1
用途: 基板クリーニング,表面改質
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
光源 紫外線ランプ (184.9nmおよび253.7nm)
オゾンジェネレータ 無声放電方式高濃度オゾナイザー
ステージ温度 室温~300度
試料サイズ 最大φ8インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 エキシマクリーナー

エキシマクリーナー
メーカー名: マルチプライ
型番: EXC-1201
用途: 基板精密クリーニング,表面改質
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
光源 172nmエキシマ紫外線ランプ
照射距離 3-35mm
ステージ温度 室温~200度
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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薄膜形成装置群

 

 全自動スパッタ装置

全自動スパッタ装置
メーカー名: アルバック
型番: J sputter
用途: 金属・絶縁薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \4,550

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ可能
電源出力 最大500W
カソード φ4インチ×4式
プロセスガス Ar,O2,N2
試料サイズ 最大φ6インチ:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
現有ターゲット Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO


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 超高真空スパッタ装置

超高真空スパッタ装置
メーカー名: ビームトロン
型番:  
用途: 垂直対向スパッタによる薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,600

 装置仕様
スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性スパッタ可能
電源出力 DC:最大1kW/RF:最大300W
カソード φ2インチ×4式
プロセスガス Ar,O2
試料サイズ 最大φ3インチ:試料ステージ加熱可 (最大800度)
現有ターゲット Au, Pt, Ag, Cu, Al, W, Mo, Ta, Ti, TiN, Ni, Cr, Si, SiO2, TiO2, MgO, ITO, PZT, CaF2


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 12連電子銃型蒸着装置

12連電子銃型蒸着装置
メーカー名: アールデック
型番: RDEB-1206K
用途: リフトオフ向け金属薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,300

 装置仕様
蒸着方式 電子銃型×1式
ターゲット 12連式(Ti,Cr,Ni,Co,Pt,Au×2,Pd,Ag,AuGeは固定)
到達真空度 1.0e-5 Pa
TS間距離 500mm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 水冷式試料ステージ


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 超高真空電子銃型蒸着装置

超高真空電子銃型蒸着装置
メーカー名: エイコーエンジニアリング
型番:  
用途: リフトオフ向けアルミ薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,600

 装置仕様
蒸着方式 電子銃型×1式
ターゲット 5連式(Ti,Au,Al×3)
到達真空度 1.0e-7 Pa
TS間距離 500mm
試料サイズ 最大φ3インチ
その他 試料ステージ傾斜/回転可能


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 原子層堆積装置

原子層堆積装置
メーカー名: Picosun (アルテック)
型番: SUNALE R-100B
用途: 高品質絶縁膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \4,550

 装置仕様
成膜材料 Al2O3,HfO2
原料 TMA,TEMAHf,H2O
成膜温度 100-450度
成膜レート 0.1nm/Cycle
試料サイズ 最大φ4インチ


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 プラズマCVD装置

プラズマCVD装置
メーカー名: サムコ
型番: PD-220NL
用途: 高品質SiO2薄膜形成
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \4,550

 装置仕様
プラズマ方式 平行平板型
電源出力 30-300W
原料 TEOS
成膜温度 400度以下
試料サイズ 最大φ8インチ


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 高圧ジェットリフトオフ装置

メーカー名: カナメックス
型番: KLO-150CBU
用途: リフトオフ、レジスト剥離
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \4,400

 装置仕様
レジスト膨潤 80℃ NMP溶液
レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液
リンス IPA, 純水
乾燥 スピン乾燥、N2ブロー
試料サイズ 最大φ6インチ


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ドライエッチング装置群

 

 多目的ドライエッチング装置

多目的ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-200NL
用途: 多種材料のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,750

 装置仕様
プラズマ励起方式 平行平板型
電源出力 最大300W
プロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ8インチ


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 化合物ドライエッチング装置

化合物ドライエッチング装置
メーカー名: サムコ
型番: RIE-101iPH
用途: 化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,750

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
試料ステージ温度 200度以下
試料サイズ 最大φ3インチ


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 シリコン深堀エッチング装置

シリコン深堀エッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 ASE-SRE
用途: MEMS等,シリコン深堀エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,750

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
プロセスガス SF6,C4F8,Ar,O2
試料ステージ温度 室温
試料サイズ 最大φ3インチ


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 酸化膜ドライエッチング装置

酸化膜ドライエッチング装置
メーカー名: 住友精密工業
型番: MUC-21 RV-APS-SE
用途: SiC,SiN,SiO2や各種酸化膜の高速エッチング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \3,300
技術補助 \4,800
技術代行 \6,750

 装置仕様
プラズマ励起方式 誘導結合型
電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
プロセスガス CHF3,C2F6,C4F8,SF6,Ar,O2,He
試料ステージ温度 -10~+40度
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備


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 FIB-SEMダブルビーム装置

FIB-SEMダブルビーム装置
メーカー名: SIIナノテクノロジー
型番: Xvision200DB
用途: TEM試料作製,イオン照射による直接加工
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \4,300
技術補助 \5,800
技術代行 \8,800

 装置仕様
イオン源 Ga液体金属
FIB加速電圧 1-30kV
電子銃 ZrO/W熱電界放射型
SEM加速電圧 1-30kV
試料サイズ 最大φ8インチ
その他 FIB:試料ステージに直交/SEM:FIBに対して54度傾斜,カーボンデポジションシステム,マイクロプロービングシステム


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熱処理装置群

 
 急速赤外線アニール炉

急速赤外線アニール炉
メーカー名: アルバック理工
型番: QHC-P410
用途: 合金化,急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,000

 装置仕様
加熱方式 放物面反射赤外線管状加熱方式
プロセス温度 1150度以下
昇温速度 40度/秒以下
プロセスガス Ar, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ 20mm角以下×4


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 シリコン酸化・熱処理炉

シリコン酸化・熱処理炉
メーカー名: 光洋サーモシステム
型番: MT-2-6X20-A
用途: 小片シリコン酸化,長時間アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,000

 装置仕様
加熱方式 細線ヒーター加熱方式
プロセス温度 300-1000度
酸化雰囲気 O2ドライ酸化,バブリングウエット酸化
アニール雰囲気 O2,N2
試料サイズ 最大φ2インチ


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 ウエハRTA装置

シリコン酸化・熱処理炉
メーカー名: ハイソル
型番: AccuThermo AW610
用途: 小片~φ6インチの急速アニール
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,000

 装置仕様
加熱方式 赤外線ランプ加熱方式
プロセス温度 1250度以下
昇温速度 150度/秒以下@Siウエハ、40度/秒以下@SiCサセプタ
プロセスガス N2, Ar, Ar+H2(3%), O2
試料サイズ 最大φ6インチ


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プロセス評価・観察装置群

 
 走査電子顕微鏡

走査電子顕微鏡
メーカー名: 日立ハイテク
型番: S-4800
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,900

 装置仕様
電子銃 ZrO/W 電界放射型
加速電圧 0.1-30kV
2次電子像分解能 1.0nm (ノーマル:15kV),1.4nm (リターディング:1.0kV)
試料ステージ 5軸モーター駆動
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 各種試料ホルダー装備


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 原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡
メーカー名: SIIナノテクノロジー
型番: L-traceⅡ
用途: ナノ加工・構造・材料の観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,900

 装置仕様
測定モード AFM,DFM,FFM,PM,SIS
走査範囲 90um
ステージ移動範囲 X:±75mm/Y:+105mm
分解能 垂直:0.01nm
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 カンチレバー自動交換機能,レシピ登録自動測定機能


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 3次元測定レーザー顕微鏡

3次元測定レーザー顕微鏡
メーカー名: オリンパス
型番: LEXT OLS4000
用途: 非接触3次元形状観察・計測
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \4,550

 装置仕様
光源 405nm半導体レーザー
分解能 XY:0.12um/Z:0.01um
繰り返し性 XY:3σ=0.02um,/Z:1σ=0.012um(対物レンズ100倍時)
観察モード レーザー観察,白色光明視野,微分干渉観察
試料サイズ 100mm角以下


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 イオンスパッタ

イオンスパッタ
メーカー名: 日立ハイテク
型番: E-1045
用途: SEM,FIB-SEMの前処理
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
成膜材料 プラチナ/カーボン
プラチナ成膜方式 ダイオード放電マグネトロン型
カーボン成膜方式 直接通電加熱蒸着
試料サイズ 最大φ60mm
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 自動エリプソメータ

自動エリプソメータ
メーカー名: ファイブラボ
型番: MARY-102FM
用途: 絶縁膜形成評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
光源 632nm He-Neレーザー
ビーム系 0.8mm
入射角 50,60,70度
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 触針式表面段差計

触針式表面段差計
メーカー名: KLA Tencor
型番: Alpha Step IQ
用途: 接触式段差測定
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
分解能 1.19pm (±10umレンジ)/23.8pm (400umレンジ)
走査距離 10mm
膜厚測定範囲 最大400um
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 オスミウムコータ

イオンスパッタ
メーカー名: メイワフォーシス
型番: Neoc-Pro
用途: SEM,FIB-SEMの前処理
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
成膜材料 オスミウム金属
成膜方式 プラズマCVD
膜厚制御 0.25nm~
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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切削・研磨装置群

 
 ダイシングソー

ダイシングソー
メーカー名: ディスコ
型番: DAD322
用途: シリコン/石英/サファイア基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \2,300
技術補助 \3,800
技術代行 \5,600

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドブレード
切削範囲 XY:162mm以下
スピンドル回転数 3000-40000rpm
顕微鏡 モニタ上倍率27倍/270倍電動切替
試料サイズ 最大φ6インチ
その他 オート/セミオート/マニュアルアライメント機能


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 自動スクライバー

自動スクライバー
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DPS-301R
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \1,000
技術補助 \2,500
技術代行 \4,300

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:110mm以下
ステージ駆動分解能 1um
カッター荷重 10-30g
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 自動ブレーキング可


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 CMP研磨装置

CMP研磨装置
メーカー名: Logitech
型番: PM5
用途: 半導体基板の薄片化/平坦化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \1,000
技術補助 \2,500
技術代行 \4,750

 装置仕様
プレート材質 ガラス/鉄/クロス
プレート径 φ12インチ
プレート速度 1-70rpm
スラリー シリカアルミナ/粒径10,20,50um
試料サイズ 最大φ3インチ


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 手動スクライバー

手動スクライバー
メーカー名: 共和理研
型番: K-604S100
用途: 半導体基板の小片化
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
切削刃 ダイヤモンドポイントカッター
切削範囲 XY:100mm以下
カッター荷重 50-1000g
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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 ブレイキング装置

ブレイキング装置
メーカー名: ダイトロンテクノロジー
型番: DBM-401R
用途: 半導体基板のへき開
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 付帯装置設定
技術補助 付帯装置設定
技術代行 付帯装置設定

 装置仕様
ブレイキング方式 基板裏面ブレード接触
ブレード幅 80mm
ステージ駆動範囲 110mm
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 付帯装置のみを利用する場合は、CR実験設備利用として費用が発生します


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電気特性評価装置群

 
 室温プローバーシステム

室温プローバーシステム
メーカー名: ベクターセミコン,アジレント・テクノロジー
型番: MX-200/B,B1500A
用途: I-V/C-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \1,000
技術補助 \2,500
技術代行 \4,750

 装置仕様
プローブ 同軸プローブ
マニピュレータ 4基
I-V測定端子 4ユニット
C-V測定端子 1ユニット
試料サイズ 最大φ4インチ
その他 試料ステージ電圧印加可,除振台/シールドボックス装備


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 極低温プローバーシステム

極低温プローバーシステム
メーカー名: ナガセテクノエンジニアリング,ケースレーインスツルメンツ
型番: GRAIL10-308-6-4K-LV-SCM,4200-SCS
用途: 4K台から室温までのI-V/C-V特性評価
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \1,000
技術補助 \2,500
技術代行 \4,750

 装置仕様
試料冷却方式 無冷媒式
プローブ 同軸プローブ
マニピュレータ 6基
I-V測定端子 6ユニット
試料サイズ 最大20mm角
その他 試料ステージ電圧印加可,液体ヘリウム移送式超伝導マグネット装備(±1.5T)
※液体ヘリウムはユーザー負担


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 ワイヤーボンダー

ワイヤーボンダー
メーカー名: West Bond
型番: 7476D
用途: チップキャリアへのボンディング
 1時間あたりの利用料金(アカデミア)
機器利用 \1,000
技術補助 \2,500
技術代行 \4,750

 装置仕様
ボンディング方式 超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
ボンディングウェッジ 45度,90度
ワイヤー材質 金線,アルミ線
ワークホルダー温度 300度以下
試料サイズ 50mm角以下,DIPパッケージ


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