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チタン酸ストロンチウム薄膜の複雑な成長過程を解明

最先端顕微鏡を用いた原子スケールでの観察に成功

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構
独立行政法人物質・材料研究機構
科学技術振興機構

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) とNIMSらの研究グループは、超高分解能顕微鏡と酸化物薄膜作製装置を組み合わせた装置を開発、チタン酸ストロンチウム (SrTiO3) 単結晶表面上で金属酸化物薄膜が成長する様子を原子レベルで観察することに初めて成功し、その結果、チタン原子が薄膜表面に浮かび上がるという、薄膜成長メカニズムを明らかにしました。

概要

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) の大澤 健男 助教 (現 独立行政法人 物質・材料研究機構 (NIMS) 主任研究員) と一杉 太郎 准教授の研究グループは、超高分解能顕微鏡と酸化物薄膜作製装置を組み合わせた装置を開発し、チタン酸ストロンチウム (SrTiO3) 単結晶表面上で金属酸化物薄膜が成長する様子を原子レベルで観察することに初めて成功しました。その結果、チタン原子が薄膜表面に浮かび上がるという、薄膜成長メカニズムを明らかにしました。
金属酸化物、特にSrTiO3をはじめとしたペロブスカイト型酸化物は、超伝導や強磁性、強誘電性、触媒効果などの多彩な物性を示すことから、我々の実生活で身近な材料となっています。近年では、異なる酸化物が接触して形成する界面での新物性開拓が活発に行われています。しかし、それらの研究をさらに進展させる上で鍵となる、界面がどのように形成されるのか、すなわち薄膜状の結晶がどのように成長していくのかについて、その成長過程は未だ解明されていませんでした。
本研究グループでは、原子1つ1つが識別可能な走査型トンネル顕微鏡と、高品質な薄膜作製手法であるパルスレーザー堆積法が連結した複合装置を独自に開発してきました。それに加えて、表面の原子が周期的に並んだSrTiO3単結晶基板を準備する方法を確立し、その基板表面上に薄膜を成長させて、原子スケール空間分解能で薄膜の成長過程を観察しました。その結果、表面にSrTiO3薄膜を堆積した場合と酸化ストロンチウム (SrOx) 薄膜を堆積した場合では成長過程が大きく異なることが分かりました。さらに、SrTiO3基板表面に存在した余剰のチタン原子が薄膜上に浮かび上がることを明らかにしました。以上より、酸化物薄膜が形成される過程で原子がどのように組み上がっていくのか、手に取るようにわかってきました。今回の研究成果は、界面物性の起源を解明することに役立つだけでなく、新材料開発を通じて新規エレクトロニクスデバイス創製につながることが期待されます。
本研究は、JST戦略的創造研究推進事業 (さきがけ) の一環として実施したもので、近日中に米科学誌「ACS Nano」に正式掲載される予定です。

「プレス資料中の図3 :  (左) 0.3層のSrTiO3薄膜堆積後の走査トンネル顕微鏡像(15 nm × 15 nm)。SrTiO3薄膜領域 (紫色) では、下部のSrTiO<sub>3</sub>基板 (青色) と同一の原子配列が観測されている。 (右) SrTiO3薄膜形成における成長モデル。SrTiO<sub>3</sub>基板表面に存在したTiO<sub>2</sub>層が薄膜表面に転写する。」の画像

プレス資料中の図3 : (左) 0.3層のSrTiO3薄膜堆積後の走査トンネル顕微鏡像(15 nm × 15 nm)。SrTiO3薄膜領域 (紫色) では、下部のSrTiO3基板 (青色) と同一の原子配列が観測されている。 (右) SrTiO3薄膜形成における成長モデル。SrTiO3基板表面に存在したTiO2層が薄膜表面に転写する。




お問い合わせ先

研究内容に関すること
一杉 太郎 (ヒトスギ タロウ)
東北大学 原子分子材料科学高等研究機構
准教授
TEL: 080-3334-3048
E-Mail: hitosugi=wpi-aimr.tohoku.ac.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
大澤 健男 (オオサワ タケオ)
独立行政法人 物質・材料研究機構
主任研究員
TEL: 029-860-4806
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大阿久 裕美 (オオアク ヒロミ)
科学技術振興機構 戦略研究推進部 グリーンイノベーション・グループ
〒102-0076 東京都千代田区五番町7 K's五番町
TEL: 03-3512-3525
FAX: 03-3222-2063
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東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR)
広報・アウトリーチオフィス
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小林 隆司 (コバヤシ タカシ)
独立行政法人 物質・材料研究機構 (NIMS)
企画部門 広報室 広報チーム長
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E-Mail: KOBAYASHI.Takashi=nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
科学技術振興機構 広報課
〒102-8666 東京都千代田区四番町5番地3
TEL: 03-5214-8404
FAX: 03-5214-8432

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