1. 液滴エピタキシー法による量子ドット創製の最近の進展 

迫田和彰
先端光ICTシンポジウム(2011年2月18日)

1. 化合物半導体の表面再配列 

大竹晃浩
日本表面科学会(2010年11月6日）

1. 共焦点走査透過電子顕微鏡法による3次元観察の可能性 

三石和貴、橋本綾子、竹口雅樹、下条雅幸、石塚和夫
日本顕微鏡学会　第53回シンポジウム(2009年10月30-31日）

2. Droplet epitaxy on GaAs (111)A

T. Mano
SemiconNano2009 (10 Aug. 2009)

3. Lifetime control of GaAs quantum dots by photonic crystal microcavities

K. Sakoda, T. Kuroda, N. Ikeda, T. Mano, Y. Sugimoto, T. Ochiai, K. Kuroda, S. Ohkouchi, N. Koguchi, and K. Asakawa
OSA Conference on Nanophotonics (13 May, 2009)

4. 共焦点STEMによる３次元観察に向けて

三石和貴
日本顕微鏡学会　超分解能電子顕微鏡分科会研究会(2009年3月14日)

1. Laser Spectroscopy of GaAs QDs Made by Droplet Epitaxy

K. Sakoda
International Conference on Advanced Laser Technologies (14 Sep, 2008)

2. Controlled emission lifetime of GaAs quantum dots embedded in photonic crystal microcavities

K. Sakoda, T. Kuroda, T. Mano, T. Ochiai, K. Kuroda, N. Ikeda, Y. Sugimoto, S. Okochi, K. Asakawa, N. Koguchi
The seventeenth annual International Laser Physics Workshop (30 June, 2008)

3. GaP中へのNドーピングと等電子トラップによる単一光子発生

佐久間芳樹、池沢道男、渡邊真人、舛本泰章
第69回応用物理学会学術講演会シンポジウム（2008年9月2日）、中部大学

4. The shape of Xe bubbles in Al and the pressure inside them

K. Iakoubovskii, 三石和貴, 古屋一夫
In-Situ TEM / Ion Accelerator Workshop 2008, In‐Situ TEM‐Ion Accelerator Techniques in the Study of solids　(2008年6月18日)

1. New functionalities realized by photonic crystal slabs with embedded quantum dots and rings

K. Sakoda
Physics and Technology of All-Optical Communication Components (11 Oct, 2007)

2. Highly luminescent GaAs quantum dots and quantum rings made by droplet epitaxy

T. Mano, M. Yamagiwa, T. Kuroda, T. Ochiai, K. Kuroda, T. Tateno, J. S. Kim, F. Minami, T. Noda, K. Watanabe, M. Kawabe, S. Sanguinetti, K. Sakoda, N. Koguchi, G. Kido
International Conference on Topical Problems of Biophotonics 2007 (4 Aug, 2007)

3. 単一光子源にむけた量子ナノ構造の形成技術

佐久間芳樹
第11回名古屋大学VBLシンポジウム（2007年11月5日）、名古屋大学

4. 液滴エピタキシー法：これまでの研究と最近のトピックス / 液滴エピタキシー法：これまでの研究と最近のトピックス

間野高明, 黒田隆, 落合哲行, 小口信行, 迫田和彰
第27回表面科学講演大会(2007年11月1－3日)

5. インターネット電子顕微鏡の開発と公開運用

田中美代子
第6回つくばWANシンポジウム （2007年3月28日）

1. ダブルキャップ法によるInP基板上のInAs量子ドットの制御と成長メカニズム

佐久間芳樹, 竹口雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹
第67回応用物理学関係連合講演会シンポジウム（2006年8月29日）、立命館大学

2. 液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成

間野高明, 小口信行
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 ナノ構造・エピタキシャル成長研究会「量子ドットの使い道」

1. 量子暗号用単一光子発生素子に向けた自己形成半導体量子ドットの形状・発光波長制御技術

佐久間芳樹
第46回光・半導体デバイス研究会、日本電子材料技術協会（2005年3月23日）、早稲田大学

2. MOCVD法によるInP(001)基板上へのInAs量子ドットの形成と波長制御技術

佐久間芳樹
つくばナノ光量子科学ワークショップ（2005年6月15日）、つくば国際会議場

1. MOCVD法によるInP基板上のInAs量子ドットの形成メカニズムと発光波長制御

佐久間芳樹、 竹口雅樹、 竹本一矢、 廣瀬真一、臼杵達哉、横山直樹
第65回応用物理学関係連合講演会シンポジウム(2004年9月1日）、東北学院大学