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業績リスト

論文

(1)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Novel Carbon Source (1,3-Disilabutane) for the Epitaxial Growth of Si1-yCy” ,Jpn. J. Appl. Phys., 43 (2004) 4153
(2)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Akira Yamada and Makoto Konagai, “C Stability in Si1-yCy Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 42 (2003) 1499
(3)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Takashi Okabayashi, Yuichi Yoneyama, Akira Yamada and Makoto Konagai, "Phosphorous Doping of Strain-Induced Si1-yCy Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition", Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 2472
(4)Katsuya Abe, Shuhei Yagi, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Growth and Characterization of Phosphorus Doped Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma- CVD at Very Low Temperature” Mater. Res. Eng., B89 (2002) 303
(5)Katsuya Abe, Shuhei Yagi, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Characterization of Tensile Strained Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature” Jpn, J. Appl. Phys., 40 (2001) 4440
(6)Syuhei Yagi, Katsuya Abe, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Epitaxial Growth of Si1-yCy Film by Low Temperature Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 39 (2000) L1078
2. 国際会議
(1)Shuhei Yagi, Takashi Okabayashi, Katsuya Abe, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Novel Carbon Source (1,3-Disilabutane) for the Deposition of Microcrystalline Silicon Carbon” Third World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, May 11-18, 2003, Osaka, Japan
(2)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Theoretical and Experimental Analyses of C stability in Epitaxial Si1-yCy Film” Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, March 9-12, 2003, Santa Fe, NM
(3)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai, “Novel Carbon Source (1,3-Disilabutane) for the Deposition of P-type a-SiC” 2002 Material Research Society Spring Meeting, April 1-5, 2002, San Francisco, CA
(4)Shuhei Yagi, Katsuya Abe, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai, "P-Doping into Stain-Induced Si1-yCy Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition", 2001 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, September 26-28, 2001, Tokyo, Japan
(5)Katsuya Abe, Shuhei Yagi, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai,
“Growth and Characterization of Phosphorus Doped Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma- CVD at Very Low Temperature” European Material Research Society Spring Meting, June 5-8, 2001, Strasbourg, France
(6)Syuhei Yagi, Katsuya Abe, Takashi Okabayashi, Akira Yamada and Makoto Konagai,
“Epitaxial Growth of Si1-yCy Film by Low Temperature Chemical Vapor Deposition”, First International Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, January 21-23, 2001,Sendai, Japan

国内学会・研究会

(1)阿部克也, 矢部千晶, 八木修平, 綿引達郎, 山田明, 小長井誠 “ガスソースMBE法により作製したSi1-yCy混晶薄膜の熱的安定性” 2003年春季第50回応用物理学会関係連合講演会, 神奈川, 平成15年3月
(2)八木修平, 阿部克也, 山田明, 小長井誠 “1,3-ジシラブタンを用いたSi1-yCy薄膜の低温エピタキシャル成長” 2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会, 新潟, 平成14年9月
(3)岡林尚志, 八木修平, 阿部克也, 山田明, 小長井誠 “1，3-ジシラブタンをCソースに用いた微結晶Si1-xCx薄膜の作製“　2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会, 新潟, 平成14年9月
(4)八木修平, 阿部克也, 岡林尚志, 米山雄一, 山田明, 小長井誠 “IV族混晶半導体Si1-yCy薄膜におけるCの熱的安定性” 2002年春季第49回応用物理学会関係連合講演会, 神奈川, 平成14年3月
(5)岡林尚志, 八木修平, 阿部克也, 山田明, 小長井誠 “1,3-ジシラブタンをCソースに用いた光CVD法によるa-SiC薄膜の作製”2002年春季第49回応用物理学会関係連合講演会, 神奈川, 平成14年3月
(6)八木修平, 阿部克也, 岡林尚志, 山田明, 小長井誠 “プラズマCVD法によるSi1-yCy薄膜へのPドーピング” 2001年春季第48回応用物理学会関係連合講演会, 東京, 平成13年3月
(7)八木修平, 阿部克也, 岡林尚志, 山田明, 小長井誠, “SiH2(CH3)2を用いたSi1-yCy薄膜の低温エピタキシャル成長”, 2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道, 平成12年9月
(8)阿部克也, 八木修平, 岡林尚志, 山田明, 小長井誠, “非熱平衡CVD法により作製したSi1-yCy膜の構造評価”, 2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道, 平成12年9月
(9)八木修平, 阿部克也, 山田明, 小長井誠,
“低温形成Siエピタキシャル薄膜へのC添加の試み”,　2000年春季第47回応用物理学会関係連合講演会, 東京, 平成12年3月