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 ＊ナノ立体構造作製との次世代デバイスへの応用 イオンビームによる局所反応や有機分子の空間的な自己組織化を用いてナノ立体構造を作製することを目指している。 集束されたイオンビームはナノ空間での反応を可能にし、ナノ結晶の作製を可能にする。また、イオンビームを特定の場所あるいは周期的に走査することで任意の場所に素子を作成することができる。このことを用いてSi基板上にGaNに代表される化合物半導体結晶をナノレベルで作製しその配置制御を行う。また、有機分子の結合様式と特有の構造を利用することで平面から立体的構造まで制御することができる。 材料の探索と組成最適化のためにコンビナトリアル手法による高速材料開発手法を用いる。 これらの技術の融合により、これまでにないナノ立体構造をもつユニークなデバイス開発を目指す。 ＊表面局所ポテンシャル制御によるナノ加工 イオン・分子や電子の照射と、表面偏析や結晶配列など材料に内在する性質との融合により、表面局所ポテンシャルを制御してナノ加工を行う方法を開拓するというコンセプトの下に研究を進めている。今までに、基板上に金属薄膜を蒸着して真空中で加熱すると薄膜表面に基板元素が濃縮した特殊な表面が生成する現象を見出し、そのような現象がどのような基板と薄膜の元素の組み合わせで起こるかを一般的に予測する方法を確立した。現在の主な研究テーマは、超低速電子源作製のための"Al含有合金の酸素吸着誘起Al偏析を利用したエピタキシャルAl2O3膜の成長制御"、ナノ構造における電位ポテンシャル制御のための"局所仕事関数の定量的計測"である。 |
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