スピン物性グループ

  スピン物性グループでは、磁性の起源である電子スピンを自在に制御する枠組みを開拓し、新たなデバイスを実現するための基盤研究を行っています。磁性材料はその磁化の向きで情報を半永久的に記憶できるため、現在のストレージデバイスのみならず、様々な省エネITデバイスへの応用が期待されています。当グループではスピンに依存した新規現象の開拓とその実現のために必要な物質創成、また複数のスピントロニクス機能を発現可能な超薄膜ヘテロ接合の成長とデバイス機能性の検証を二つの柱として研究を行います。

  スピントロニクスデバイスでは、磁化の制御とその検出がデバイス応用のために必要不可欠な要素となります。現在、磁化の制御としてはスピン偏極電流・スピン流によるトルク印加、電圧による異方性制御など、様々な手法が提案されています。検出については巨大な出力が実現可能なトンネル磁気抵抗効果が利用可能であり、これらの組み合わせによって不揮発性を有する磁気ランダムアクセスメモリ等、新規デバイス応用が期待されています。 本グループでは、特に高効率スピン流の生成と磁区構造制御について研究を行い、現行スピントロニクスデバイスの高性能化に貢献するとともに、リザバーコンピューティングを始めとした非ノイマン型コンピューティング手法への応用可能性を狙います。