トポロジカル絶縁体はスピン軌道相互作用がもたらす新しい量子状態であり、近年その物質探索が物性物理及び物質科学の最先端になっている。この物質はサンプルのバルク部分では絶縁的であるが、サンプルのエッジに抵抗の伴わない電流を運ぶ量子状態が存在し、新規量子機能が期待されている。しかし、これまでは極低温でしか見つかっていない。また、エッジ電流の中でスピン上向きと下向きの電子が混在して、このままではスピントロニクスに応用できないという問題があった。

研究グループは、電子系の対称性解析や第一原理計算により、ペロフスカイト構造を持つ反強磁性絶縁体に金の化合物一原子層を挿入し（図1参照）、垂直方向にゲート電圧を印加することによって、新しいトポロジカル状態が実現できることを理論的に明らかにした。トポロジカル物質の探索及び新規量子機能開発の新しい方向を示す研究成果である。