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電気抵抗ゼロの原子一層の物質を世界で初めて実証

—超伝導素子の高性能化に貢献—

2011.11.02
(2011.11.08 更新)

内橋 隆 ( MANA研究者 )
Puneet Mishra ( MANA リサーチアソシエイト )
青野 正和 ( MANA拠点長 )
中山 知信 ( MANA主任研究者 )

シリコン表面の金属原子一層の物質が電気抵抗ゼロとなる超伝導特性を発現することを発見した。本研究により、超伝導材料を原子レベルの極限まで薄くできることを明らかにした。これにより、超伝導演算素子のより一層の微細化・集積化や、超伝導単一光子検出器の高効率化・高速化を追求する研究が加速するものと考えられる。

図1 シリコン表面にインジウム原子が一層だけ配列した固体表面物質の原子モデル。原子ステップを超えて、超伝導電流が流れる様子を模式的に示している。



図2 インジウム原子一層からなる固体表面物質に電極を取り付けて測定した電気抵抗の温度変化。挿入図はより広い温度領域での変化を示す。2.8Kで電気抵抗がゼロになり、超伝導状態に転移する。




記事・報道

■新聞
日刊工業新聞(2011年11月4日13面)
日経産業新聞(2011年11月4日8面)
科学新聞(2011年11月18日1面)
朝日新聞(2011年11月28日34面)
日経産業新聞(2012年1月25日25面)2011年度技術トレンド調査


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