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受賞情報受賞情報

山本真人NIMSポスドク研究員が応用物理学会講演奨励賞を受賞

山本真人NIMSポスドク研究員

パイ電子エレクトロニクスユニット山本真人NIMSポスドク研究員が、応用物理学会より第39回応用物理学会講演奨励賞を授与されることが決定しました。同賞は、応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に贈られる賞です。

この度は、山本NIMSポスドク研究員による「WSe2(二セレン化タングステン)原子層の層数制御酸化」が高く評価され、受賞の対象に選定されました。WSe2などの第6族遷移金属ダイカルコゲナイドの原子層は、スケーリングリミットが間近に迫るシリコンに代わる超薄膜半導体材料として期待されていますが、シリコンの熱酸化プロセスのように、原子層表面上に簡便かつ高品質に絶縁体酸化膜を形成させることが実用化に向けた課題となっています。山本NIMSポスドク研究員は、数原子層のWSe2にオゾンを比較的低温で曝露することで、原子レベルで均一で膜厚を1層から3層まで厳密に制御可能な表面酸化膜を成長させることに成功しました。

授賞式は2016年春季講演会にて行われます。



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