応用物理学会優秀論文賞を塚越一仁主任研究者と小松克伊ポスドク研究員が受賞いたしました。

応用物理学会優秀論文賞は、応用物理学の進歩と向上に多大の貢献をなした優秀な原著論文を対象とし、全著者に授与するものと定められています。このたび、塚越主任研究者と小松ポスドク研究員が共著者となっている、グラフェンの大面積単結晶ドメインの生成とその物性の評価についての論文が包括的で完成度の高い研究であるとして、受賞の対象に選定されました：

Hiroki Ago, Kenji Kawahara, Yui Ogawa, Shota Tanoue, Mark A. Bissett, Masaharu Tsuji, Hidetsugu Sakaguchi, Roland J. Koch, Felix Fromm, Thomas Seyller, Katsuyoshi Komatsu, and Kazuhito Tsukagoshi, Epitaxial Growth and Electronic Properties of　Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film, Appl. Phys. Express 6 (2013) 075101

平成26年9月17日、秋季応用物理学会学術講演会にて授賞式が行われました。