猪俣　浩一郎 （いのまた　こういちろう）
理学博士。東京都立大学大学院理学研究科博士課程修了（1970年）。東京芝浦電気株式会社（現、株式会社東芝）総合研究所、東北大学大学院工学研究科教授を経て2006年4月物質材料研究機構・フェローに就任。

就任にあたって
　企業の研究所で30年、大学で6年間を過ごし、この4月フェローとしてNIMSに採用されました。企業では研究開発とともに事業化や研究管理を経験し、大学では教育と研究に携わって参りました。本機構勤務により、いわゆる産学官という貴重な経歴を得ることになり、私の人生では想定外のことです。これまでソフトおよびハード磁性、並びに磁気記録分野に関わり、アモルファスを含めバルクから薄膜に至る種々の磁性材料開発に携わってきました。10年ほど前からスピントロニクス、特にMRAMに関する研究開発にシフトし、現在はJST-CRESTプロジェクトリーダとしてスピントロニクス材料・デバイスの研究を行っています。機構では磁性材料センター・スピントロニクスグループリーダを拝命しましたので、引き続きスピントロニクス分野の発展に貢献したいと思っています。