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世界最高水準の先端計測技術を用いて、窒化ガリウムの実用化を目指しています。

窒化ガリウム評価基盤領域は、基礎基盤研究の課題が多い窒化ガリウム(GaN)等の次世代半導体に関し、結晶創製・パワーデバイス応用・評価基盤・レーザーデバイス応用・高周波デバイス応用の五つの技術領域が一体的な連携をなしながら、実用化に向けた研究開発を加速することを目的としています。
 
本領域では、2030年に高周波・高出力で小型、軽量なパワーデバイスや、パワーデバイス、制御回路等を融合した革新的なスマートパワーデバイスの社会実装が実現することを念頭におきながら、NIMSが強みとするナノ計測技術や構造・電子状態計測などの先端計測技術を活用し、パワー半導体などの次世代デバイス開発を進めています。


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