産学独連携

当方では、下記装置を装備しております。 分析、照射を正式に外部委託する前に、評価可能であるか、または効果を試してみたいなどのご用命がありましたら、お知らせ下さい。詳しくは、物質・材料研究機構ホームページ、産学独連携ページをご覧下さい。

  • 60keV負イオン照射装置（イオン種B-Au）（EDS,RHEED,CCD分光）
  • MeV級正イオン照射装置（最大6MeV、イオン種B-Au）） ※ 今のところCuを始めとした数種類のイオン照射のみ実績があります。
  • ラザフォード後方散乱測定装置（He、主に 2MeV）
  • 高出力レーザー照射装置（10Hz、5J　YAG、ＳＨＧ（2.8J）、ＴＨＧ(1.0J)）
    • 光学測定装置 分光光度計（反射率、透過率、吸光度、190-2500nm、温度 4K－500℃）
    • FT-IR（7800-400ｃｍ-1） Raman散乱測定装置（顕微可） 分光エリプソメーター（192-2000nm）
  • フォトルミネッセンス測定装置（CW励起波長325 nm、パルス励起波長266nm）
  • 非線形光学測定装置（ポンププローブ法） 　※特殊用途です。
  • フェムト秒レーザーシステム（再生増幅器、光パラメトリックアンプ）
  • 表面分析装置（照射チャンバー）
    • 触針式表面粗さ計
    • 真空電気炉（+Ar,O2ガス）、RTA
    • 成膜装置（ヘリコンスパッタ装置）
    • ドライエッチング装置（レーザー加工？）

他、共同施設として利用可能な装置 ・ TEM ・ SEM ・ Ｘ線回折装置 ・ AFM ・ FIB等

現在の共同研究課題

強磁場下でのカーボンナノチューブの合成と形状制御
カーボンナノチューブの形状制御および収率の改善を目的として、強磁場（10Ｔ）中でアーク放電法および熱ＣＶＤ法により合成を行っている。

カーボン系ナノ材料の新規合成法の開発
カーボンナノチューブ、ナノワイヤーおよびオニオン等のカーボン系ナノ材料はこれまで気相反応で合成されてきた。そこで、収率の改善を目的と凝縮相での新規合成法の開発を行っている。