(D)	大谷茂樹	（OTANI.Shigeki@nims.go.jp）
	田中高穂	（TANAKA.Takaho@nims.go.jp）
	森　泰道	（MORI.Yasumichi@nims.go.jp）
	相澤　俊	（AIZAWA.Takashi@nims.go.jp）
	速水　渉	（HAYAMI.Wataru@nims.go.jp）
	森　孝雄	（MORI.Takao@nims.go.jp）

　ホウ素の骨格構造をもつ高融点ホウ化物を研究対象として、3000℃付近における良質な大型単結晶の育成技術を開発します。さらに、良質な単結晶試料を用いる利点を活かして物性評価を行い、新しい特性や現象の発見および材料開発（III属窒化物半導体形成用基板など）を行います。

1. 高融点化合物単結晶の良質化と窒化物半導体形成用基板の開発 （大谷、2003年4月21日更新）New!
2. 新しい多ホウ化物の探索（田中、2002年7月23日更新）
   • 多ホウ化物の単結晶育成（田中、2002年7月26日更新）
3. ホウ化物のバルク物性
4. ホウ化物および関連物質の表面物性
   • 遷移金属二ホウ化物の表面研究（相澤、2002年12月18日更新）

• 第１回ホウ化物研究会が12月13日に開催されました。 （2002年12月26日更新）
• 第２回ホウ化物研究会は2003年12月12日、13日に宮城県松島町にて開催される予定です。
• 2003年3月24日より電話番号が変わりました。