CREST　「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発

研究代表者：東工大、菅原聡准教授

分担代表者名：　猪俣浩一郎

分担研究課題名：　Ｓｉ基板を用いた巨大ＴＭＲ素子開発と低電流スピン注入磁化反転

研究期間: 2007年10月 - 2013年3月

分担研究費（見込み）：79,000千円

概要

　本研究課題ではキャリアのスピンに基づく機能をMOSFETに導入し，スピン自由度を用いた新しいシリコン集積回路構築のための基礎体系を創出する．スピン自由度をシリコン集積回路に導入するため，強磁性トンネル接合(MTJ)とMOSFETとの回路レベルによる機能融合，および強磁性体ソース/ドレイン構造MOSFET(スピンMOSFET)によるMTJとMOSFETのデバイスレベルでの機能融合を実現する．これらの機能デバイスによる新概念のアーキテクチャに基づく高性能・多機能集積回路を創出する．

図(a) 疑似スピン>MOSFETのデバイス構造、(b) スピンMOSFETのデバイス 構造