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土佐正弘GLが日本真空学会からフェローの称号を授与
2016.02.04
日本真空学会の、平成27年度学会賞，真空の匠，フェローの各顕彰について、
顕彰審査会議において慎重に審議が重ねられた結果、土佐正弘GL（環境・エネルギー材料部門 先進高温材料ユニット 極限トライボロジーグループ）が、第２回のフェローとして決定され、12月に開催された第56回真空に関する連合講演会（つくば国際会議場）において、該賞を受賞されました。
以下は、詳細な推薦ならびに業績の紹介になります。（日本真空学会誌からの抜粋）
推薦理由
土佐正弘氏は、真空科学技術と薄膜・表面工学の分野で第一線の研究者として活躍しており、特に、ガス吸着やガス透過の少ない窒化硼素素表面偏析真空容器用材料開発、銅酸化物系超伝導磁気浮上搬送システムを導入した極高真空一貫超清浄空間プロセスの建造、高周波超伝導ニオブ被覆銅製加速空洞の作製、炭化チタンやアルミナ等セラミックコーティングの密着性強化技術、真空中および耐熱トライボロジー材料の開発、表面ナノ構造制御による高性能触媒薄膜の開発等、真空・表面・薄膜に関する研究を数多く行なってきている。この分野で革新的な材料開発法や性能評価手法等を駆使して優れた成果を生み出しており、真空進歩賞や本多記念研究奨励賞を受賞する等卓越した業績が認められている。また、応用物理学会薄膜表面物理分科会常任幹事や材料科学会理事他を務め、特に、日本真空学会においては、20年以上にわたり、研究部会、教育部会、表彰委員会、事業計画委員会、財務委員会、連合講演会実行委員長、同プログラム委員長等を歴任し、さらに、研究部会長や常務理事も務め、日本真空学会の発展に尽くした。
土佐氏のこれまでの研究業績と日本真空学会に対する貢献は高く、今後もなお一層、真空科学技術分野での先導的研究の推進、ならびに、日本真空学会への多大の寄与が期待される。
主な業績
- 表面析出現象を利用した低ガス吸着性BN の低温被覆法-極高真空容器用材料の開発，土佐正弘，吉原一紘， 真空，33(1990) 520.
- Super Clean Substrate Transport by Extreme High Vacuum Integrated Process with Levitation Transport System, M. Tosa, K. S. Lee, A. Kasahara and K. Yoshihara: Vacuum, 167 (2001)60.
- Silicon Microstructure Fabricated by Laser Micro-Patterning Method Combined with Wet Etching Process, T. Oishi, M.Goto, Y. Pihosh, A. Kasahara and M. Tosa: Appl. Surf. Sci., 241(2005)223.
- Reduction in Frictional Force of ZnO Coatings in a Vacuum, M. Goto, A. Kasahara and M. Tosa: Jpn. J. Appl. Phys., 47(2008) 8914.
- Ubiquitous element approach to plasmonic enhanced photocatalytic water spl itting: the case of Ti＠TiO2 core-shell nanostructure, Y. Pihosh, I. Turkvych, K.Mawatari, N. Fukuda, R.Ohta,M. Tosa, K. Shimamura and T. Kitamori: Nanotechnology, 25 (2014) 315402.
参考
真空科学技術、およびその関連分野等（例えば、表面・薄膜などの分野も含む）の進歩、ならびに、その産業利用の発展、あるいはそれらに関連する教育・学会活動への貢献に対し、この分野において成し遂げられた多大な功労や顕著な功績を顕彰するため、日本真空学会では2014年度より学会賞、真空の匠，フェローを制定しました。