次世代メモリ（ユニバーサル・メモリ）
● ユニバーサル・メモリ： 以下の全ての特長を備えたメモリ
・ SRAM の高速性 　・ DRAM の高集積 　・ 不揮発性
		FeRAM、MRAM、PRAM ： ユニバーサル・メモリ条件を満たしていないが各々の特長を活かした分野で、棲み分けした実用化が進められている
● ユニバーサル・メモリ候補の遷移金属酸化物 ReRAM の問題点
�@ 希少元素を使用する 　　�A Si 半導体製造ラインへの親和性の欠如　 　　�B フォーミング処理が必要
�C 動作原理が明らかでない=> 実用化上の問題
本研究で開発するメモリには、上記�@、�A、�Bの欠点がない
● ユニバーサルメモリ：　SRAM　DRAM　FLASH の全ての性能を備えたオールマイティなメモリ　　　　　　　 ● FeRAM、MRAM、PRAM ：　３種類ともユニバーサル・メモリ条件を満たしていないが、各々の特長を活かした分野で、棲み分けした実用化が進められている。　　　　　　　　 ● ReRAM ：　ユニバーサル・メモリ候補として期待されているが、遷移金属酸化物のReRAMは　　　　 �@フォーミング処理が必要 �ASi半導体製造ラインの汚染源になる　 �B動作原理が明らかでない　　　 等の問題がある。　本開発技術には、上記�@�Aの欠点がなく、下記５項目の優位性がある。