ReRAMの開発経緯(1)
（1960〜1986年）　種々の金属酸化物におけるスイッチング現象　　　　 （1986年）　銅酸化物での高温超伝導　　　　 （1994年）　Mn酸化物における巨大磁気抵抗変化(CMR)（十倉、木戸）
（1996)
Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO) 極低温下での巨大電界誘起抵抗変化（CER）　（十倉）
(2000)		室温 でのPCMOのCER を実現 （ヒューストン大　A.Ignatievら）
(2002)		PCMO系ReRAM メモリ試作に成功 （ヒューストン大＋米国シャープ）
ReRAM (抵抗変化型不揮発性メモリ）の研究開発が活発化