各種メモリの比較
SRAM DRAM FLASH 次世代・不揮発性メモリ FeRAM MRAM PRAM ReRAM セルサイズ 〜130 F2 4〜8 F2 4 F2 12〜25 F2 16〜40 F2 4 F2 4〜6 F2 高速性 ○ ○ − ○ ○ ○ 不揮発性 − − ○ ○ ○ ○ ○ 回数制限 なし なし あり なし 動作原理 トランジスタ回路のインターロック コンデンサーの電荷 フローティングゲートの電荷　 強誘電体膜の分極 磁気抵抗効果 結晶/非結晶間の相転移　 電圧誘起の抵抗変化
電子ジャーナル社・次世代メモリの最新動向（H18.4）より